 Samsung представила DDR3 планку памяти
Мировой лидер в области производства модулей памяти, Samsung
Electronics, продемонстрировал на IDF (Intel Developer
Forum) DDR3-память. Компания отметила, что Intel начнет
переход на следующее поколение памяти во второй половине
следующего года.
Донг Янг Ли, главный инженер Samsung Electronics Memory
Group, сообщил, что компания готова к массовому производству
DDR3 хоть во второй половине 2006 года, но это бессмысленно,
так как нету платформ для совместной работы с данными
модулями. Мистер Ли указал сроком массового производства
данных модулей начало 2009 года, в это время, отмечает Донг
Янг, DDR3 начнут вытеснять DDR2. Samsung продемонстрировал PC3-6400 модуль, который работал
на частоте 800 МГц. В конечном счете, DDR3 будут работать на
частотах 1066 МГц, 1333 МГц и даже на 1667 МГц. Компания
сообщила, что DDR3-чипы будут созданы по технологии процесса
70 нм. Среди новых преимуществ указаны: ODT (On-Die Termination),
уменьшение латентности, расширенные регистры, SDC
(self-driver calibration), синхронизация данных и другие,
информирует X-bit labs.
|
